wafer晶圆bump球高度检测

       随着现代电子装置对小型化、轻量化、高性能化、多功能化、低功耗化和低成本化方面的要求不断提高,IC芯片的特征尺寸不断缩小,且集成规模迅速扩大,芯片封装技术也在不断革新,凸点加工工艺(Bumpprocessflow)也因此发展起来。Bumpprocess分为三种:BOPCOA、BOAC、HOTROD,对于芯片尺寸要求没那么严格的情况,大多数产品都是采用QFN封装形式的芯片,因其可测性和散热较好;而对于耳机、手机等小型化产品的芯片,大多采用WSCP(w afe rs calechippackage)封装。同一种功能的芯片而言可以加工成不同的封装形式,仅在Bump和Assembly层面有所区别,可以理解为QFN封装在完成Bump制程后还需要打线(WireBonding)或者引线框架(leadframe)将引脚引出,最后塑封 成型 ,而WCSP则在Bump完成Ballattach之后就是一颗完整可以交付到客户手上的芯片了,这可以减少很多的设计开发成本。

 

 

硅晶圆表面形貌扫描图

提取局部轮廓分析BUMP球高度

局部轮廓图

BUMP球高度值分析

晶圆BUMP球高度三维图形

 

采用STIL光谱共焦线扫传感器,可以用于Bump, Micro Bump和TSV的量测及检查,高达6K hz/s采样频率,最大线性误差±0.05μm,适合用于线表面三维形貌检测,无论任何材料,蓝宝石晶圆和硅晶圆,都可以准确检测。

 

测量项目:

• Bump球凸块,小于2um
• 在单个晶圆上可检测百万个bump球
• TSV后填充物的凸起检查
• 量测单片5000万点的bump;
• 量测bump尺寸和间距
 

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                                      晶圆表面BUMP球高度检测

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                                      晶圆表面Bump球三维模型图

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                                        高度值波形图

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