传感器在半导体加工过程中广泛应用
1 - 晶圆研磨与抛光过程监控
在半导体的制造中，需要研磨以使晶圆的厚度变薄，以及抛光以使表面成为镜面。在晶片制造过程中，通过双面研磨、单面研磨等对从晶锭切片的晶片进行厚度调节，以消除加工表面的变形，然后将晶片加工成镜面。
单晶晶圆加工流程中，研磨与抛光是比不可少的工艺流程，过程监控中的实时厚度监控、材料处理期间的TTV测量对于调节加工工艺，提高减薄与研磨效率，提高产能和产品质量。
采用UNIMAR通用探头量程大，适合用于粗磨 NCG红外干涉传感器可以直接在离子水下测量
UNIMAR通用测头，可以在研磨液下直接测量，测量范围±2mm,重复精度由于0.2μm
不管是粗磨还是精磨的减薄阶段，我们接触式和红外干涉测量不同方案供您选择
2 - 晶圆厚度等关键尺寸检测与分选
半导体晶片是半导体器件制作的基础原料。半导体器件生产线所生产的产品众多，规格型号各有不同。针对不同器件的规格参数需选择特定电阻率、厚度的晶圆进行投产。若选择的晶片电阻率、厚度及外观不符合要求，则生产出的产品会发生电性参数的偏离，形成产品不良。
STIL产品可以完成晶圆几何尺寸的检测方案，根据SEMI 标准采用三点支撑的几何参数与分选，均可以采用双探头对射的方式获取上下表面的高度变化以及厚度变化，包括 TTV，Thickness，Bow，Warp 等。
上下各一支STIL光谱共焦测头，测量的样品放在两个测头中间
测量范围1300μm测头上下对射方式，测量晶圆厚度
3 - 光刻胶高度、形貌等关键参数检测
使用STIL线光谱共焦传感器可以快速扫描光刻胶表面形貌，准确确认各位置的高度分布与形貌，快速获取更多更全面的信息。
4 - 刻蚀过程监控与厚度等尺寸变化检测
5 - 晶圆切割制程切割头引导
由于激光切割时，晶圆表面的高度变化会使切割时无法保证切割道在相同的高度，因而需要使用实时高度检测系统来协助切割激光器调整激光器的激光束功率或切割头高度，以实现晶圆切割的一致性与稳定性。我司光谱共焦传感器可以快速响应高度信息 ，以协助激光器完成切割过程
6- Bump 3D 形貌、2D 尺寸检测
晶圆封装 bumping 工艺可以大大减少 PCB 的厚度，更加节省空间，比传统的封装芯片技术更有效率。但是，晶圆封装 bumping 工艺需要一定的技术要求，必须精确控制封装 bump 的制作过程，确保封装 bump 的数量和位置的精确性，以保证封装的质量。STIL线光谱共焦传感器与线光谱相机协助确认生产加工中的产品质量，通过 3D 形貌与 2D 尺寸检测实现预期目标。
