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光谱共焦传感器技术优势和市场预期
高精度测量：光谱共焦传感器能够实现极高的测量精度，分辨率可达纳米级别，这对于精密/超精密制造、半导体量测、基础科学研究等领域至关重要。
高分辨率：理论上，波长可以无限细分，通过特殊设计的镜头可以输出非常高的分辨率，这对于需要高精度测量的应用场景非常有价值。
温度稳定性：光谱共焦传感器内部仅有镜头结构，镜头本身不发热，因此温度漂移小。这对于微米及亚微米级别的测量尤为重要。넶2 2024-03-27 -
半导体晶圆减薄的关键原因及其工艺流程详解
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）作为一种重要的功率半导体器件，在电力电子领域具有广泛应用。其核心部分就是由硅晶圆制成的芯片。然而，通常情况下，晶圆的初始厚度可能并不符合设计要求，因此需要通过减薄工艺来实现最终所需的厚度。
넶7 2024-03-15 -
为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造
1. 通道宽度和掺杂：SiC MOSFET的通道宽度和掺杂浓度会影响Rdson和电流密度。较宽和重掺的通道可以降低Rdson并提高电流承载能力。
2. 栅极氧化层厚度：栅极氧化层的厚度影响栅极电容，进而影响开关速度和Rdson。较薄的栅极氧化物可以提高开关速度，但也可能增加栅极漏电流，并增加氧化层击穿失效的风险。
3. 栅极设计：栅极设计影响栅极电阻，进而影响开关速度和Rdson。较低的栅极电阻可以提高开关速度，但也可能增加栅极电容。
总体而言，SiC MOSFET Rdson设计是一个复杂的过程，涉及综合考虑各个参数之间的相互影响。需要进行仔细的优化和仿真并且进行试验和测试，以实现所需的器件性能和可靠性。넶4 2024-03-12 -
半导体器件为什么需要“外延层”
圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。外延（epitaxy）是指在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层新单晶的过程，新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料（同质外延或者是异质外延）。
넶11 2024-03-12 -
计划9月份发布的Iphone13最新谍照
从iPhone X开始，苹果就开始在iPhone上配备了OLED显示屏，随着近几年屏幕技术不断发展，OLED屏不仅实现了更好的显示效果，成本也大大降低。
넶139 2021-03-26 -
造出“中国芯”！中国芯片制造关键设备获得突破，美国已无力阻拦
随着我国科技的高速发展，国内高新科技企业已经在多个科技领域实现了赶超，如华为在通讯领域，凭借着绝对性的技术优势，成功打破美企在该领域的垄断，成为新的领头羊。为此，焦虑的美国人开始针对我国的科技领域，企图通过高端技术的断供，限制我国科技崛起的速度。
넶186 2021-03-26 -
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光学巨头蔡司神话背后：“金手指”是如何被机器打败的
1、在20年前，蔡司大部分低端相机镜头和电影摄影机镜头业务早就输给日本人了。因为自己的顽固，蔡司最终失去了哈苏相机的大部分订单。
2、人眼显然无法和高精度仪器相比，再熟练的工匠，也不能保证和机器一样稳定，所以蔡司以“金手指”为主导的传统经典玩法，等于给自己戴上了镣铐。
3、即将上任的蔡司CEO彼得.格拉斯曼向ASML的母公司飞利浦摊牌了：蔡司基本上是破产了，扩大其生产规模以满足ASML的需求需要钱，但它没有钱。넶513 2020-11-20 -
没有超精密测量，就没有高端装备制造
高端装备雄踞制造业技术链和价值链的顶端，其最本质的特征是高质量，包括高性能、高稳定性和高可靠性。中国装备制造要实现突破，首先要解决制造质量问题，其关键是能否建立起坚实的技术基础支撑能力，而核心关键是能否首先建立起超精密测量能力。没有超精密测量，就不会有高质量的高端装备制造。
넶111 2020-09-11 -
屏幕指纹和3D结构光对比
3D结构光的基本原理是通过近红外激光发射器发射具有一定结构特征的光纤，投射到被拍摄物体，由专门的红外摄像头采集成像。3D结构光采集的图像具有深度信息，便获得了被拍摄物体的三维结构，由于采用了红外线，因此在黑暗环境中也能顺利解锁。
넶746 2020-04-16
