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CMP缺陷分析：划痕、残留、腐蚀如何避免？
CMP工艺的复杂性使其极易产生多种缺陷，包括划痕、残留、腐蚀、凹陷和侵蚀等，这些缺陷直接影响器件的电学性能和可靠性，甚至导致良率下降。随着半导体节点向3nm及以下迈进，CMP工艺对缺陷控制的要求愈发严苛。
넶1 2025-04-24 -
CMP抛光如何控制晶圆厚度？
CMP抛光过程中通常用TTV来衡量晶圆的厚度均匀性，所谓TTV是指在晶圆直径范围内其最大厚度与最小厚度的差值，它直接决定了芯片的性能和良率。随着制程节点向3nm、2nm等先进制程迈进，晶圆表面平整度的要求已从微米级跃升至亚纳米级，甚至局部区域需控制在0.3nm以内，一旦TTV超标，会带来诸多影响。
넶7 2025-04-15 -
SpaceX猎鹰9号发射升空，飞船上所搭载的AEROEL 激光测量仪
美国航空航天局（NASA）全新“天鹅座”NG-20货运飞船由SpaceX猎鹰9号发射升空，飞船上所搭载的AEROEL 激光测量仪成功入轨太空轨道。 该项目旨在测试微重力条件下的玻璃拉丝工艺，以生产无地球重力导致缺陷的ZBLAN光纤。
넶44 2024-10-15 -
光谱共焦传感器技术优势和市场预期
高精度测量：光谱共焦传感器能够实现极高的测量精度，分辨率可达纳米级别，这对于精密/超精密制造、半导体量测、基础科学研究等领域至关重要。
高分辨率：理论上，波长可以无限细分，通过特殊设计的镜头可以输出非常高的分辨率，这对于需要高精度测量的应用场景非常有价值。
温度稳定性：光谱共焦传感器内部仅有镜头结构，镜头本身不发热，因此温度漂移小。这对于微米及亚微米级别的测量尤为重要。넶122 2024-03-27 -
为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造
1. 通道宽度和掺杂：SiC MOSFET的通道宽度和掺杂浓度会影响Rdson和电流密度。较宽和重掺的通道可以降低Rdson并提高电流承载能力。
2. 栅极氧化层厚度：栅极氧化层的厚度影响栅极电容，进而影响开关速度和Rdson。较薄的栅极氧化物可以提高开关速度，但也可能增加栅极漏电流，并增加氧化层击穿失效的风险。
3. 栅极设计：栅极设计影响栅极电阻，进而影响开关速度和Rdson。较低的栅极电阻可以提高开关速度，但也可能增加栅极电容。
总体而言，SiC MOSFET Rdson设计是一个复杂的过程，涉及综合考虑各个参数之间的相互影响。需要进行仔细的优化和仿真并且进行试验和测试，以实现所需的器件性能和可靠性。넶76 2024-03-12 -
半导体器件为什么需要“外延层”
圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。外延（epitaxy）是指在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层新单晶的过程，新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料（同质外延或者是异质外延）。
넶256 2024-03-12 -
计划9月份发布的Iphone13最新谍照
从iPhone X开始，苹果就开始在iPhone上配备了OLED显示屏，随着近几年屏幕技术不断发展，OLED屏不仅实现了更好的显示效果，成本也大大降低。
넶201 2021-03-26 -
造出“中国芯”！中国芯片制造关键设备获得突破，美国已无力阻拦
随着我国科技的高速发展，国内高新科技企业已经在多个科技领域实现了赶超，如华为在通讯领域，凭借着绝对性的技术优势，成功打破美企在该领域的垄断，成为新的领头羊。为此，焦虑的美国人开始针对我国的科技领域，企图通过高端技术的断供，限制我国科技崛起的速度。
넶277 2021-03-26 -
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光学巨头蔡司神话背后：“金手指”是如何被机器打败的
1、在20年前，蔡司大部分低端相机镜头和电影摄影机镜头业务早就输给日本人了。因为自己的顽固，蔡司最终失去了哈苏相机的大部分订单。
2、人眼显然无法和高精度仪器相比，再熟练的工匠，也不能保证和机器一样稳定，所以蔡司以“金手指”为主导的传统经典玩法，等于给自己戴上了镣铐。
3、即将上任的蔡司CEO彼得.格拉斯曼向ASML的母公司飞利浦摊牌了：蔡司基本上是破产了，扩大其生产规模以满足ASML的需求需要钱，但它没有钱。넶831 2020-11-20
